TTR200N萊寶真空計(jì)
TTR 200 N THERMOVAC 系列真空變送器可提供從 5×10-5 毫巴至 1500 毫巴的較大測(cè)量范圍，基于對(duì) MEMS Pirani 硅芯片傳感器上小空腔中的熱傳導(dǎo)性和壓電傳感器中硅膜的機(jī)械偏轉(zhuǎn)的測(cè)量結(jié)果。
變送器配備 RS232 數(shù)字通信接口，可設(shè)定變送器參數(shù)并提供實(shí)時(shí)壓力測(cè)量。更多詳情，請(qǐng)參閱通信協(xié)議 300544663 (RS232)。
每臺(tái)變送器在出廠前已逐臺(tái)進(jìn)行全量程測(cè)試。測(cè)試報(bào)告隨附在包裝中。此外，每個(gè)變送器壓力讀數(shù)均在指定操作溫度范圍內(nèi)逐一得到溫度補(bǔ)償。
變送器擁有三個(gè)機(jī)械繼電器，這些繼電器可用于過程控制，例如閥或泵的聯(lián)鎖。模擬電壓輸出可連接至外部模擬設(shè)備，用于獲取壓力讀數(shù)，或進(jìn)行壓力控制。
傳感器技術(shù)
變送器含有兩個(gè)獨(dú)立的傳感器元件。MEMS Pirani (MEMS = Micro-Electro-Mechanical-System (微電子機(jī)械系統(tǒng))) 傳感器元件基于熱傳導(dǎo)性的測(cè)量結(jié)果。MEMS Pirani 傳感器包含一個(gè)帶有熱電阻元件的硅芯片，其構(gòu)成空腔的一個(gè)表面。芯片頂部的封蓋形成空腔的另一表面。由于傳感器的幾何形狀，空腔內(nèi)無法進(jìn)行對(duì)流，因此，傳感器對(duì)安裝位置并不敏感。通過擴(kuò)散，氣體分子只到達(dá)熱元件，在此處可測(cè)量氣體的熱損耗。
壓電傳感器基于對(duì)硅膜機(jī)械偏轉(zhuǎn)的測(cè)量。硅膜的一側(cè)暴露于環(huán)境壓力，另一側(cè)暴露于真空。
壓電傳感器可測(cè)量無關(guān)于氣體成分和濃度的真實(shí)差壓。
這兩個(gè)傳感器元件都極為堅(jiān)固耐用，可承受較高重力和瞬間空氣涌入。
應(yīng)用
差分壓電傳感器將始終相對(duì)于環(huán)境壓力進(jìn)行精確的測(cè)量，不論環(huán)境條件如何改變。這使其成為以下高精度控制的理想備選:
- 真空鎖 (確保精確快速的排氣并防止真空鎖受到空氣污染)
- 相對(duì)于環(huán)境的腔室超壓和欠壓控制。
7 300544656_002_C0 - 10/2016 - ? Leybold
例如:
一名客戶想要在 10 毫巴的相對(duì)環(huán)境超壓下打開真空鎖，以免在他打開真空鎖時(shí)氣體涌入真空鎖。為此，此客戶可以基于差分壓電讀數(shù)來執(zhí)行一種控制算法。當(dāng)壓電讀數(shù)為 +10 毫巴時(shí)，表示真空鎖中的壓力較真空鎖外的環(huán)境壓力超出 10 毫巴 (不論環(huán)境壓力是多少，例如 1000 或 1020 毫巴)。除差分測(cè)量之外，變送器還提供較寬的絕對(duì)測(cè)量范圍，此范圍可通過模擬輸出獲得。
變送器可用于眾多不同領(lǐng)域的真空應(yīng)用中，如：工業(yè)應(yīng)用、研發(fā)、半導(dǎo)體、分析和涂料工業(yè)中:
? 真空鎖壓力控制
? 一般真空壓力測(cè)量
? 前級(jí)管道和粗抽壓力測(cè)量
? 氣體回填測(cè)量和控制
? 質(zhì)譜儀控制
? 啟動(dòng)超高真空電離 (UHV) 規(guī)
? 系統(tǒng)過程控制
? 檢測(cè)異常壓力，利用設(shè)定點(diǎn)繼電器采取妥當(dāng)?shù)陌踩胧?
? 控制系統(tǒng)壓力
廢棄處理
TTR 200 N 變送器是根據(jù) RoHS (在電子電氣設(shè)備中限制使用某些有害物質(zhì)) 指令制造的。
TTR200N萊寶真空計(jì)
